"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
Аникин М.М.1, Лебедев А.А.1, Растегаева М.Г.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Предложена модификация сублимационного сэндвич-метода для выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, отличающаяся лучшей управляемостью процессов роста, более низкой энергоемкостью и высокой производительностью.
  • М.М. Аникин, В.А. Дмитриев, Н.Б. Гусева, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., вып. 10, 1768 (1984)
  • M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pytko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In: \it Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Zh.C. Feng (World Scientific Publishing Co., Singapore, 1992) p. 280
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.