Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров

Андреев А.Н.¹, Снегов Ф.М.¹, Стрельчук А.М.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 1993 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены особенности карбида кремния, определяющие специфику тиристоров, изготовленных на его основе. Для тиристоров на основе 6H-SiC приведена оценка токов переключения и удержания, напряжений пробоя и переключения. Показано, что на современном уровне развития технологии возможно изготовление карбид-кремниевых тиристоров на напряжения переключения 500-700 В.

В.А. Дмитриев, С.Н. Вайнштейн, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 13, 675 (1987)
V.A. Dmitriev, M.E. Levinshtein, S.N. Vainshtein, V.E. Chelnokov. Electron. Lett., \bf 24, 1213 (1988)
J.A. Edmond, J.W. Palmour, C.H. Carter. IEEE MTT 1991 Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (Charlottesville, 1991)
J.J. Ebers. Proc. IRE, 40, 1361 (1952)
М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, В.В. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 23, 647 (1989)
М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 23, 1813 (1989)
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pjatko, V.N. Soloviov, A.M. Strel'chuk. \it Abstracrs 3rd Int. Conf. on Amorphous a. Cristalline Silicon Carbide a. Other Group IV--IV Materials (Wfshigton, 1990) p. VI 6
М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, \bf 25, 479 (1991)
W.V. Munch, P. Hoeck. Sol. St. Electron., \bf 21, 479 (1978)
В.А. Кузьмин. \it Тиристоры малой и средней мощности (М., 1971)
В.Е. Челноков, Ю.А. Евсеев. \it Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов (М., 1973)
M.M. Anikin, I. Chuiko, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin. \it Abstracts 3rd Int. Conf. on Amorphous a. Cristalline Silicon Carbide a. Other Group IV--IV Materials (Washington, 1990) p. IV 5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель