Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Естественный фотоплеохроизм диодных структур из CuInSe₂

Боднарь И.В.^1,2, Вайполин А.А.^1,2, Рудь В.Ю.^1,2, Рудь Ю.В.^1,2

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты поляризационных измерений оптического пропускания однородных монокристаллов p-CuInSe₂ и фоточувствительности диодных структур In-p-CuInSe₂, Cu-p-CuInSe₂, n-CdS-p-CuInSe₂. Положительный знак коэффициентов фотоплеохроизма и плеохроизма позволяет считать, что верхняя зона в CuInSe₂ имеет симметрию Gamma₇ и оптические переходы с наименьшей энергией преобладают в поляризации E|| c, как и в случае соединений II-IV-V₂ со сжатой вдоль [001] решеткой халькопирита.

\it Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerski, S. Wagner (Elsevier, Amsterdam, 1986)
J.L. Shay, J.H. Wernick. \it Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Pergamon Press, Oxford, 1975)
Г.К. Аверкиева, Г.А. Медведкин, А.А. Яковенко. ФТП, \bf 17, 2081 (1983)
Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Препринт N 1272 ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Л., 1988)
Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, 68 (1986)
А.В. Лунев, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров, Ю.Н. Ундалов. Препринт N 1147 ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Л., 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель