"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs--GaAs
Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Табатадзе И.Г.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Мы исследовали оптические свойства структур InGaAs--GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Рост осуществлялся путем попеременного осаждения молекул InAs и GaAs на поверхности GaAs (100). Количество InAs, осажденного во время каждого цикла, соответствовало слою со средней толщиной 1 Angstrem. На начальной стадии роста (In,Ga)As картина дифракции быстрых электронов соответствовала планарной поверхности, однако при достижении некоторой критической толщины в ней наблюдались изменения, связанные с трансформацией упруго-напряженного слоя в массив трехмерных зародышей (In,Ga)As, которые затем заращивались GaAs. Уменьшение температуры подложки приводило к увеличению критической толщины слоя (In,Ga)As, и таким образом могли быть получены как гетероструктуры с квантовыми ямами, так и с квантовыми кластерами при одном и том же среднем количестве осажденного материала. В спектрах фотолюминесценции и в спектрах возбуждения люминесценции структур с кластерами наблюдался пик, сильно смещенный в длинноволновую сторону от положения, соответствующего случаю слоевого роста, с шириной 30--40 мэВ, который доминировал в спектре вплоть до высоких плотностей возбуждения и температур наблюдения. Впервые наблюдалась лазерная генерация через состояния квантовых кластеров.
  • H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
  • P.M. Petroff, J. Gaines, M. Tsuchiya, R. Simes, L. Coldren, H. Kroemer, J. English, A.C. Gossard. J. Cryst. Growth, \bf 95, 260 (1989)
  • R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohentein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., \bf 68, 3812 (1991)
  • M. Kasu, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 1262 (1993)
  • Ж.И. Алферов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.И. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. ФТП, \bf 26, 1715 (1992)
  • P.J. Pearah, A.C. Chen, A.M. Moy, K.C. Hsieh, K.Y. Cheng. J. Cryst. Growth, \bf 127, 900 (1993)
  • J.F. Carlin, R. Houdre, A. Rudra, M. Ilegems. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 3018 (1991)
  • J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., \bf 70, 2782 (1993)
  • А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, \bf 28, 604 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.