Вышедшие номера
Влияние контролируемого изменения собственных точечных дефектов и кислорода на оптические свойства сульфида кадмия
Морозова Н.К.1, Морозов А.В.1, Каретников И.А.1, Назарова Л.Д.1, Данилевич Н.Д.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Изучены оптические свойства монокристаллов с изменением стехиометрии в пределах основной части двусторонней области гомогенности сульфита кадмия. Учтено резкое изменение растворимости кислорода в точке стехиометрии при изменении ансамбля собственных точечных дефектов. Изучены особенности спектра свободных и связанных экситонов. Обнаружена прямая зависимость краевого излучения CdS от концентрации кислорода в узлах решетки. Исследована инфракрасная катодолюминесценция (до 2.7 мкм) и найдены корреляции в поведении полос 2.2 и 1.03 мкм с изменением концентрации вакансий кадмия. Показано, что излучение CdS 700/720 нм аналогично зеленому ''кислородному'' свечению ZnS и связано с переходом кислорода в междоузлия при избытке серы. Излучение 600/630 нм сопоставляется с кислородными парами в ближайших узлах решетки, стабилизированными избыточным кадмием.
  1. R.E. Halsted, M. Aven. Phys. Rev. Lett., \bf 14, 64 (1965)
  2. Е.Ф. Гросс, Б.С. Разбирин, С.А. Пермогоров. ФТТ, \bf 7, 558 (1965)
  3. B.A. Kulp. Phys. Rev., 125, 1865 (1962)
  4. E. Gutsche, O. Goede. J. Luminesc., 1--2, 200 (1970)
  5. Н.А. Власенко, Н.И. Витриховский, З.Л. Денисова. Опт. и спектр., \bf 21, 466 (1966)
  6. B.A. Kulp, R.Y. Kelley. J. Appl. Phys., 31, 1057 (1960)
  7. И.Б. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко. ФТП, \bf 11, 1812 (1977)
  8. J.D. Cuthbert, D.G. Thomas. Phys. Rev., 154, 763 (1967)
  9. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. \it Сульфид цинка (М., Наука, 1987)
  10. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков. \it Селенид цинка (М., Наука, 1992)
  11. Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг, матер., \bf 11, 1755 (1975)
  12. А.А. Айвазов, Е.В. Марков, В.А. Теплицкий. \it Докл. III Всес. конф. "Термодинамика и материаловедение полупроводников" (М., 1986) т. 2, с. 168
  13. Н.К. Морозова, В.С. Зимогорский, А.В. Морозов. Неорг. матер., \bf 29, 1014 (1993)
  14. Н.К. Морозова, Л.Д. Назарова, А.В. Морозов. Изв. вузов. Физика, \bf 36, 127 (1993)
  15. Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.А. Теплицкий. ЖПС, \bf 59, 318 (1993)
  16. О.В. Богданкевич, Н.Н. Костин, Е.М. Красавина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 23, 1618 (1987)
  17. Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.Г. Галстян. Неорг. матер., \bf 30, (1994)
  18. В.С. Зимогорский, Н.А. Караванов, Н.К. Морозова. Новости ИАИ (Варшава, Интератоминструмент) вып. 1(66), 22 (1989)
  19. W. van Gool, A.P. Cleiren. Phil. Res. Reports, \bf 15, 238 (1960)
  20. Э.Д. Польских, С.С. Галактионов, А.А. Бундель. ЖПС, \bf 19, 877 (1973)
  21. М.А. Гурвич. \it Введение в физическую химию кристаллофосфоров (М., Высш. шк., 1982)
  22. F.A. Kroger, H.J. Vink, J. van den Boomgaard. Z. Phys. Chem., \bf 203, 1 (1954)
  23. T. Taguchi, B. Ray. Prog. Cryst. Growth Charact., \bf 6, 103 (1983)
  24. S. Asano, Y. Tomishima. J. Phys. Soc. Japan, \bf 13, 1119 (1958)
  25. K. Akimoto, H. Okuyama, M. Ikeda, Y. Mori. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 91 (1992)
  26. D.G. Thomas, J.J. Hopfield. Phys. Rev., \bf 150, 680 (1966)
  27. М.Ю. Ребров, В.Т. Бублик, В.А. Теплицкий. Докл. АН СССР. Физика, \bf 307, 597 (1989)
  28. E.T. Handelman, D.G. Thomas. J. Phys. Chem. Sol., \bf 26, 1261 (1966)
  29. J.Y. Lin, D. Baum, Q. Zhu. J. Luminesc., \bf 45, 251 (1990)
  30. И.В. Крюкова, В.А. Теплицкий, Е.П. Шульга, Б.Р. Джумаев. ФТП, \bf 26, 1054 (1992)
  31. Н.И. Кудряшов, Я.Л. Хариф, П.В. Ковтуненко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 22, 2058 (1986)
  32. J.J. Ramsden, M. Gratzel. J. Chem. Soc., 80, 919 (1984)
  33. И.В. Ермолович, Н.Б. Лукьянчикова, М.К. Шейнкман. ФТТ, \bf 9, 2899 (1967)
  34. J.P. Dean, D.J. Robbins, S.G. Bishop. J. Phys. C: Sol. St. Phys., \bf 14, 2847 (1981)
  35. K. Morigaki, T. Hoshima. J. Phys. Soc. Japan, \bf 24, 120 (1968)
  36. Г.В. Бушуева, В.И. Решетов, А.А. Хромов. ФТП, \bf 22, 201 (1988)
  37. E.H. Putley. \it The Hall effects and related phenomena (London, 1960)
  38. K. Tanaka, A. Kunioka, Y. Sakay. Japan. J. Appl. Phys., \bf 8, 681 (1969)
  39. А.В. Морозов, В.Г. Галстян, В.И. Муратова, Л.Д. Назарова. Препринт 07-17 (М., Моск. энерг. ин-т, 1992)
  40. В.В. Краснопевцев, Ю.В. Милютин, Чан Ким Лой, П.В. Шапкин. Кр. сообщ. по физике, \bf 8, 12 (1974)
  41. А.Л. Гурский, Е.В. Луценко, Н.К. Морозова, Г.П. Яблонский. ФТТ, \bf 39, 3530 (1992)
  42. F. Rong, G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum., \bf 10--12, 827 (1986)
  43. G.D. Watkins. \it Defect Control in Semiconductors, ed. by K.Sumino (Elsevier Science Publishers B.V., 1990)
  44. Ю.Н. Дмитриев, В.Д. Рыжиков. Атом. энергия, \bf 70, 119 (1991)
  45. F.A. Kroger, J.A.M. Dikhoff. J. Electrochem. Soc., \bf 99, 144 (1952)
  46. K. Akiimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, \bf 39, 3138 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.