Исследовались электрические свойства гетеропереходов n-3C-SiC/p-Si, полученных газофазной эпитаксией (CVD-методом) на подложках Si(111) в системе SiH4-C2HCl3-H2 при 1100oC. Полученные гетеропереходы характеризуются хорошими выпрямительными свойствами и высоким быстродействием. Прямая вольт-амперная характеристика может быть представлена в виде I propto exp(-qU/nkT)exp(qV/nkT), где U=(0.87± 0.02) эВ --- контактная разность потенциалов, n=1.1-1.2 --- коэффициент идеальности. Установлено, что доминирующий механизм прямого тока связан с процессом рекомбинации носителей заряда через уровни ловушек с плотностью состояний ~ 1012 см-2, расположенные на гетерогранице и смещенные относительно середины запрещенной зоны.
H. Matsunami. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 3 (1992)
S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., \bf 42, 460 (1983)
S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami. J. Appl. Phys., \bf 61, 4889 (1987)
K. Takahashi, S. Nishino, J. Saraie, K. Harada. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 78 (1992)
A. Solangi, M.I. Chandhry. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 362 (1992)
T. Sugii, T. Ito, Y. Furumura, M. Doki, F. Mieno, M. Maeda. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf 9, 87 (1988)
I.M. Baranov, V.A. Dmitriev, I.P. Nikitina, T.S. Kondrateva. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 116 (1992)
И.М. Баранов, В.А. Дмитриев, И.П. Никитина, В.Е. Челноков. \it Тезисы VII Межд. конф. по микроэлектронике (Минск, 1990) т. 1, с. 83
R.T. Holm, P.H. Klein, P.E.R. Nordquist, Jr. J. Appl. Phys., \bf 60, 1479 (1986)
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strelchuk. Springer Proc. in Physics, \bf 56, 269 (1992)
B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
J. Peltier, D. Gervais, C. Promot. J. Appl. Phys., \bf 55, 994 (1984)
R.J. Delven. Phys. Chem. Sol., 13, 163 (1960)
T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., \bf 67, 6375 (1990)
G.A. Slack, R.I. Scace. J. Chem. Phys., 42, 805 (1965)
M.I. Chaudhry. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 670 (1991)
C.Т. Cah, R.N. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, \bf 45, 1228 (1957)
U. Dolega, Zs. Naturforsch., 18a, 653 (1963)
A.G. Milnes, D.L. Feucht. \it Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions (N.Y., Academic Press, 1972)
J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-14, 63 (1967)
L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 2, 2255 (1970)