"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства гетеропереходов 3C-SiC/Si
Зубрилов-=SUP=-1-=/SUP=- А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Исследовались электрические свойства гетеропереходов n-3C-SiC/p-Si, полученных газофазной эпитаксией (CVD-методом) на подложках Si(111) в системе SiH4-C2HCl3-H2 при 1100oC. Полученные гетеропереходы характеризуются хорошими выпрямительными свойствами и высоким быстродействием. Прямая вольт-амперная характеристика может быть представлена в виде I propto exp(-qU/nkT)exp(qV/nkT), где U=(0.87± 0.02) эВ --- контактная разность потенциалов, n=1.1-1.2 --- коэффициент идеальности. Установлено, что доминирующий механизм прямого тока связан с процессом рекомбинации носителей заряда через уровни ловушек с плотностью состояний ~ 1012 см-2, расположенные на гетерогранице и смещенные относительно середины запрещенной зоны.
  • H. Matsunami. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 3 (1992)
  • S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., \bf 42, 460 (1983)
  • S. Nishino, H. Suhara, H. Ono, H. Matsunami. J. Appl. Phys., \bf 61, 4889 (1987)
  • K. Takahashi, S. Nishino, J. Saraie, K. Harada. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 78 (1992)
  • A. Solangi, M.I. Chandhry. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 362 (1992)
  • T. Sugii, T. Ito, Y. Furumura, M. Doki, F. Mieno, M. Maeda. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf 9, 87 (1988)
  • I.M. Baranov, V.A. Dmitriev, I.P. Nikitina, T.S. Kondrateva. Springer Proc. in Physics, \bf 71, 116 (1992)
  • И.М. Баранов, В.А. Дмитриев, И.П. Никитина, В.Е. Челноков. \it Тезисы VII Межд. конф. по микроэлектронике (Минск, 1990) т. 1, с. 83
  • R.T. Holm, P.H. Klein, P.E.R. Nordquist, Jr. J. Appl. Phys., \bf 60, 1479 (1986)
  • M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strelchuk. Springer Proc. in Physics, \bf 56, 269 (1992)
  • B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  • J. Peltier, D. Gervais, C. Promot. J. Appl. Phys., \bf 55, 994 (1984)
  • R.J. Delven. Phys. Chem. Sol., 13, 163 (1960)
  • T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., \bf 67, 6375 (1990)
  • G.A. Slack, R.I. Scace. J. Chem. Phys., 42, 805 (1965)
  • M.I. Chaudhry. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 670 (1991)
  • C.Т. Cah, R.N. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, \bf 45, 1228 (1957)
  • U. Dolega, Zs. Naturforsch., 18a, 653 (1963)
  • A.G. Milnes, D.L. Feucht. \it Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions (N.Y., Academic Press, 1972)
  • J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-14, 63 (1967)
  • L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 2, 2255 (1970)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.