Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое пропускание композитных пленок SiO 2/Si, полученных методом лазерного напыления
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения 
Поступила в редакцию: 8 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Методом лазерного напыления на сапфировых подложках получены композитные пленки, представляющие собой SiO2 с включениями избыточного Si. Исследованы спектры оптического пропускания в зависимости от технологического режима нанесения пленок и последующей температурной обработки.
- Ю.И. Петров. Физика малых частиц (М., Наука, 1982)
- D.I. DiMaria, D.W. Dong. J. Appl. Phys., 51, 2722 (1980)
- T. Venkatesan et al. Appl. Phys. Lett., 53, 1557 (1988)
- H.R. Philipp. J. Non-Gryst. Sol. 8-10, 672 (1972)
- K. Hubner. Phys. St. Sol. (a), 61, 665 (1980)
- D.E. Aspnes, J.B. Theeten. J. Appl. Phys., 50, 4928 (1979)
- В.Г. Бару, Л.Н. Григорян, С.А. Терешин, В.И. Покалянин, М.И. Елинсон. Микроэлектроника, \bf 16, 473 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
