Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетеропереходы InSe--In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0--1.8 мкм
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 10 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств гетероперехода n-InSe-p-In4Se3, изготовленного методом посадки на оптический контакт. Определены изгиб зон на контакте, механизм токопрохождения в барьерной области и спектр фотоответа данного гетероперехода. Данные работы свидетельствуют о возможности использования гетероперехода в спектроскопии ближнего ИК диапазона, 1.0-1.8 мкм, в качестве фотоприемного устройства.
- \it Фотоприемники видимого и ИК диапазонов, под ред. Р.Дж.Киеса (М., 1985)
- В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11, 200 (1977)
- В.А. Манассон. В сб.: \it Физические основы полупроводникового материаловедения (Киев, 1982) с. 85
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
