Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования

Асланов Г.А.¹, Бурбаев Т.М.¹, Курбатов В.А.¹, Пенин Н.А.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 11 марта 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы пороговые характеристики фоторезисторов из германия, легированного цинком с полностью компенсированным первым уровнем, в режиме мощного импульсного гетеродина. Показано, что в таком режиме обеспечивается сочетание высокой пороговой чувствительности, 6· 10^-19 Вт/Гц, с широкой информационной полосой, ~2 ГГц, при температуре жидкого азота. Обнаружено уменьшение квантовой эффективности фоторезисторов при высоких интенсивностях излучения гетеродина, I>100 Вт/см², которое объясняется возрастанием амплитуды потенциального рельефа, вызванным оптическим возбуждением примесных центров. Проведены количественные оценки этого эффекта, которые согласуются с экспериментальными результатами.

Р.М. Фано. \it Теоретическиеограничения полосы согласования произвольных импедансов (М., 1965)
Г.М. Малышев, Г.Т. Раздобарин. В сб.: \it Диагностика плазмы (М., 1973) вып. 3
Г.А. Асланов, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 19, 1736 (1985)
А.П. Болтаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин, Н.Н. Соловьев. ФТП, 7, 1896 (1973)
В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. Квант. электрон., 3, 1909 (1976)
N. Bretz, G. Tayler. Report YO Princeton (Plazma Physics Lab., 1981)
H.Z. Cummins, H.L. Swinnery. In: \it Progress in Optics, ed. by E. Wolf (1970) vol. 8, p. 135
В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 6, 903 (1972)
Г.А. Асланов, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 27, 277 (1993)
М.Г. Галкин, В.А. Курбатов, Н.Н. Соловьев. ФТП, 22, 1122 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель