Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о вольт-амперной характеристике гетероструктуры на основе неупорядоченного селенида цинка

Беляев А.П.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 июля 1993 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрена вольт-амперная характеристика гетероструктуры на основе неупорядоченного полупроводника типа In₂O₃-ZnSe-In, обладающей асимметрией проводимости. Исследуется случай, когда составляющая внешнего электрического поля внутри полупроводника постоянна на всей толщине слоя. Анализируется положение границы, отделяющей локализованные состояния от делокализованных. Рассматриваются процессы токопереноса по этой границе. Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики, предполагающее в зависимости от внешнего смещения линейную, сублинейную и суперлинейную связь между током и напряжением. Показана возможность на основе экспериментальной вольт-амперной характеристики оценки амплитуды неоднородности случайного потенциала. Проводится сравнение вольт-амперных характеристик, полученной в работе и экспериментальной для гетероструктуры In₂O₃-ZnSe-In.

А.Я. Шик. В кн.: \it Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях (Кишинев, Штиинца, 1979) с. 22
Н. Мотт, Э. Дэвис. \it Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
А.П. Беляев, И.П. Калинкин, В.А. Санитаров. ФТП, 18, 1975 (1984)
А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев, И.П. Калинкин. ФТП, 26, 1755 (1992)
С. Ашмонтас, А. Скучене. ФТП, 27, 307 (1993)
С.И. Пекар. ЖЭТФ, 10, 1210 (1940)
А.П. Беляев, В.П. Рубец, Х.А. Тошходжаев. ФТП, 26, 935 (1992)
С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Наука, 1984)
А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
K.L. Chopra, S. Major, D.K. Pandya. Thin Sol. Films, 102, 1 (1983)
Р. Бьюб. \it Фотопроводимость твердых тел (М., Иностр. лит., 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель