Показано, что в квазидвумерных слоях дырочных полупроводников возможно образование конденсонов - состояний поляронного типа, обусловленных взаимодействием носителя заряда с акустическими фононами. Проведен анализ условий возникновения конденсонов, а также получены количественные оценки для энергии связи и эффективной массы конденсона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.