"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние нейтронного и космического излучения на характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки
Оболенский С.В.1, Павлов Г.П.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского,, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.

Приводятся результаты исследований радиационной деградации СВЧ характеристик GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ). Рассчитана и экспериментально измерена деградация коэффициентов усиления и шума ПТШ. Предложена конструкция ПТШ с частичной компенсацией радиационной деградации.
  • Г.П. Павлов. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, вып. 1(435), 38 (1991)
  • В.Л. Энгль, Х.К. Диркс, Б.Р. Майнерцхаген. \it Моделирование полупроводниковых приборов (М., Мир, 1985)
  • Р. Цулег. ТИИИЭР, 77, 24 (1989)
  • В.С. Вавилов. \it Действие излучений на полупроводники (М., 1963)
  • С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  • M. Reiser. Trans. Electron. Dev., ED-20, 35 (1973)
  • W. Batchold, H.J.O. Stuff. Electron. Lett., 4, 346 (1968)
  • Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. \it Полевые транзисторы на арсениде галлия (Радио и связь, 1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.