Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О роли дырок в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций в полупроводниках n-типа проводимости
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия 
Поступила в редакцию: 9 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Показано, что неосновные носители (дырки) могут играть определенную роль в формировании коэффициента заполнения заряженных дислокаций деформированного n-германия.
- W.T. Read. J. Phil. Mag., 45, 775 (1954)
- W.T. Read. J. Phil. Mag., 45, 1119 (1954)
- М. Франк-Каменецкий, В. Аншелевич, Л. Лукашин. УФН, 151, 595 (1987)
- А.И. Колюбакин, Ю.А. Осипьян, Г.А. Шевченко. ЖЭТФ, 77, 975 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
