Эффект охлаждения, вызываемый отрицательной люминесценцией
Пипа В.И.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
Исследован эффект радиационного охлаждения, вызываемого полупроводниковым источником отрицательной межзонной люминесценции. Получены теоретические зависимости температуры охлаждаемого плоского слоя от мощности люминесценции, поглощательных способностей слоя и полупроводника и их начальной температуры. Рассмотрен нестационарный эффект с учетом конкурирующего нагрева слоя тепловым излучением полупроводника. Показана возможность значительного понижения температуры слоя при использовании оптических фильтров.
- В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. ДАН СССР, 161, 1308 (1965)
- С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа. ФТП, 17, 208 (1983)
- P. Berdahl. \it Proc. 18th. Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Stockholm, 1986) p. 1595
- В.И. Пипа. ФТП, 22, 553 (1988)
- В.И. Пипа. Препринт N 3, ИП АН УССР (Киев, 1988)
- В.И. Пипа, Е.И. Яблоновский, В.К. Малютенко. ФТП, 24, 1176 (1990)
- В.К. Малютенко, А.М. Рыбак, А.Г. Коллюх. ЖПС, 47, 299 (1987)
- С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, А.П. Савченко. Письма ЖТФ, 15, 49 (1989)
- Я.Б. Зельдович, Ю.П. Райзер. \it Физика ударных волн и высокотемпературных явлений (М., Наука, 1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук