Процессы образования и отжига радиационных дефектов в p-Si<P,Pt>
Юнусов М.С.1, Ахмадалиев А.1, Сабиров С.С.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Приведены результаты исследования процессов образования и отжига радиационных дефектов, введенных при облучении быстрыми нейтронами атомного реактора в p-Si < P,Pt>. Показано, что при радиационно-термическом воздействии в p-Si<P,Pt> формируются ранее не наблюдавшиеся центры, обусловленные присутствием платины.
- И.С. Юнусов и др. \it Физические свойства облученного кремния (Ташкент, Фан, 1987)
- А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 15, 1519 (1981)
- С.А. Азимов, Л.И. Исламов, Н.А. Султанов. ФТП, 8, 1169 (1974)
- Y.K. Kwon, T. Ishikawa, H. Kuwano. J. Appl. Phys., 61, 1055 (1987)
- A.O. Evwaraye, E. Sun. J. Appl. Phys., 47, 3172 (1976)
- Ю.А. Зибуц, Л.Г. Парицкий, С.М. Рывкин, Ж.Г. Дохолян. ФТТ, 8, 2549 (1966)
- Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. \it Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978)
- \it Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С.Смиронова (Новосибирск, Наука, 1980)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук