"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация)
Соколов В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.

Диффузионное легирование кремния сопровождается процессами межпримесного взаимодействия, приводящими к образованию в твердом растворе силицидных фаз, существующих в рассматриваемом температурном интервале. Процессы фазообразования вызывают существенные изменения в дефектной структуре кристалла и являются причиной наблюдаемых при диффузии фосфора в кремний ''аномальных'' эффектов. Сформированная в технологическом цикле дефектная структра полупроводникового прибора определяет значения его параметров и характер их изменения в процессе эксплуатации. Показано, что основной причиной деградации является несогласованность кинетики генерации и рекомбинации дефектов, специфичных для выбранных условий эксплуатации. Сделан вывод, что уменьшение размеров активных элементов микроэлектронных устройств и перенос акцента при их проектировании и изготовлении в плоскость анализа процессов формирования дефектной структуры в технологическом цикле позволит существенно увеличить надежность полупроводниковых приборов.
  • Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (Л., 1961)
  • Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., 1972)
  • Ф.С. Шишияну. \it Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах (Кишенев, 1978)
  • Т.Д. Джафаров. \it Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах (Л., 1978)
  • J. Hirvonen, A. Anttila. Appl. Phys. Lett., 39, 703 (1979)
  • G. Masetti, S. Solmi, G. Songini. Sol. St. Electron., 19, 545 (1976)
  • E.L. Williams. J. Electrochem. Soc., 108, 795 (1961)
  • R.N. Ghoshtagore. Phys. Rev. B, 3, 389 (1971)
  • G.L. Vick, K.M. Whittle. J. Electrochem. Soc., 116, 1142 (1969)
  • В.И. Соколов. В сб.: \it Проблемы электронного материаловедения (Новосибирск, 1986) с. 90
  • В.М. Глазов, В.Н. Вигдорчик. \it Микротвердость металлов и полупроводников (М., 1969)
  • I. Yonenaga, K. Sumino. Japan. J. Appl. Phys., 21, 47 (1982)
  • К. Рейви. \it Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., 1984)
  • М.Г. Мильвидский, Л.В. Лайнер. \it Науч. тр. Гиредмета (М., 1962) т. 6, с. 149
  • В.И. Прохоров, В.И. Соколов, Л.М. Сорокин. ФТТ, 23, 1302 (1981)
  • D. Nobili, A. Armigliato, M. Finetti, S. Solmi. J. Appl. Phys., 53, 1484 (1982)
  • C.G. Morgan-Pond. J. Electron. Mater., 20, 399 (1991)
  • H. Kitagawa, S. Tanaka, H. Nakashima, M. Yoshida. J. Electron. Mater., 20, 441 (1991)
  • S.M. Hu. Appl. Phys. Lett., 27, 165 (1975)
  • В.И. Соколов, Н.А. Федорович, Г.М. Гурьянов, А.П. Коварский. ФТТ, 24, 1635 (1982)
  • \it Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., 1975)
  • Б.И. Болтакс, Р.Ш. Малкович, В.А. Покоева, В.И. Соколов. ФТП, 10, 755 (1976)
  • D.K. Schroder. Sol. St. Phenomena, 6-7, 383 (1989)
  • P.F. Schmidt, C.W. Pearce. J. Electrochem. Soc., 128, 630 (1981)
  • М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. \it Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников (М., 1984)
  • D.K. Schroder, C.S. Chen, J.S. Kang, X.D. Song. J. Appl. Phys., 63, 136 (1988)
  • В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, Ю.Н. Таран, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич. Электронная промышленность, вып. 5, 17 (1993)
  • В.Д. Скупов, В.А. Перевощиков, О.Н. Горшков. Поверхность, вып. 7, 155 (1989)
  • T. Adachi, C.R. Celms. Appl. Phys. Lett., 32, 199 (1979)
  • В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко. ФТП, 13, 604 (1979)
  • V.I. Sokolov, N.A. Fedorovich. Phys. St. Sol. (a), 99, 151 (1987)
  • S.A. Litvinenko, V.I. Sokolov. Phys. St. Sol. (a), 116, 615 (1989)
  • S. Mizuo, H. Higuchi. Japan. J. Appl. Phys., 21, 1547 (1982)
  • В.И. Соколов, И.Л. Шульпина, С.А. Гончаров, Н.С. Жданович. Электрон. техн. Материалы, вып. 7 (261), 6 (1991)
  • H. Gocan, A. Morimoto, M. Murahata. Thin Sol. Films, 149, 85 (1987)
  • Дж. Эшелби. \it Континуальная теория дислокаций (М., Иностр. лит., 1963)
  • Т.Судзуки, Х. Есината, С. Такеуги. \it Динамика дислокаций и пластичность (М., Мир, 1989)
  • В.Д. Васильев. Физическая кристаллография (М., 1972)
  • П.А. Пундур, Р.И. Зейля. Обмен опытом в электрон. пром-ти, вып. 5, 41 (1967)
  • Б.И. Козлов, А.В. Раков. Электрон. техн., сер. Микроэлектроника, вып. 8, 68 (1971)
  • В.И. Соколов. ФТТ, 7, 265 (1965)
  • А.Г. Хачатурян. \it Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М., 1974)
  • H.R. Huff, F. Shimura. Sol. St. Technol., 28, 103 (1985)
  • I.L. Shulpina. J. Phys. D: Appl. Phys., 26, A82 (1993)
  • А.И. Олемский, А.Я. Флат. УФН, 163, вып. 12, 1 (1993)
  • Г. Хакен. \it Информация и самоорганизация: макроскопический подход к сложным системам (М., 1991)
  • Kwaku, A. Danso, Larry Tullos. Microelectr. Reliab., 21, 513 (1981)
  • С.П. Лавренко, В.И. Соколов. \it Тез. докл. Всес. конф. "Конструктивно-технологическое обеспечение качества микро- и радиоэлектронной аппаратуры при проектировании и производстве" (Ижевск, 1988) с. 152
  • W.L. Bloss, W.E. Yamada, A.M. Young, B.K. Janousek. IEEE Trans., NS-35, 1074 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.