Выполнен математический анализ диффузии примеси в полупроводнике в двух состояниях, различиющихся коэффициентами диффузии и степенью ионизации атомов примеси, при условиях локального равновесия между состояниями и локальной электронейтральности. Показано, что рассматриваемая задача может быть описана уравнением концентрационно-зависимой диффузии, в котором коэффициент диффузии D(C) является произведением двух сомножителей - диффузионного D(C) и дрейфового F(C), зависящих от распределения примеси по состояниям. Функция D(C) изменяется монотонно, увеличиваясь или уменьшаясь с концентрацией примеси, тогда как F(C) может изменяться и немонотонным образом, что проявляется в наличии максимума либо максимума и минимума. Установлены критерии монотонного и немонотонного поведения функции F(C), которые связаны со значениями зарядов в обоих состояниях, а также с величиной коэффициента обмена между состояниями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.