"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/Al xGa1- xAs
Кадушкин В.И.1, Шангина Е.Л.1
1Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1995 г.

Выращены две серии разнесенных сверхрешеток (РСР) GaAs/AlGaAs: 1 --- с однородно легированными квантовыми ямами и 2 --- с delta-Si-легированными барьерами. Ширина квантовых ям от 33 до 66 Angstrem, барьерных слоев --- 250 Angstrem. Уровень легирования Nd~= 2· 1018 см-3. delta-слои Si располагались на расстоянии от 30 до 74 Angstrem от гетерограницы. Энергетическое положение пиков спектров фотолюминесценции обнаруживает температурный сдвиг (T=4.2/300 K), соответствующий изменению ширины запрещенной зоны GaAs. Нами рассчитана зонная диаграмма гетероструктуры с delta-Si-легированными барьерными слоями и установлено, что волновая функция основного состояния локализована в слое GaAs. Показано, что спектры фотолюминесценции обусловлены электронными переходами с основного уровня электронов в квантовой яме на уровень тяжелых дырок. Сопоставительный анализ спектров фотолюминесценции и кинетических параметров обеих серий разнесенных сверхрешеток показал лучшее структурное совершенство разнесенных сверхрешеток с delta-легированием. Полуширина линии спектра фотолюминесценции структур 1-й серии 13/21 мэВ, а 2-й --- 5/9 мэВ. Подвижности электронов при T=4.2 K в 1-й серии 200/800 см2/В·с, а во 2-й --- до 5500 см2/В·с. По спектрам фотолюминесценции и величинам подвижностей для структур с различной шириной квантовых ям найдены поперечные и латеральные размеры островков (шероховатостей) Delta =2.83 Angstrem и Lambda>100 Angstrem соответственно.
  • B.F. Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, I. Walker, R.I. Malik. Appl. Phys. Lett., 53, 296 (1988)
  • G. Hasnain, B.F. Levine, C.G. Bethea, R.A. Logan, I. Walker, R.I. Malik. Appl. Phys. Lett., 54, 2515 (1989)
  • B.F. Levine, G. Hasnain, C.G. Bethea, M. Chang. Appl. Phys. Lett., 54, 270 (1989)
  • M. Migita, T. Uda, O. Kauchisa, M. Shiiki. Заявка EP 0316909 A2, H01L 31/02 G/1C 13/04. \it Semiconductor Optical apparatures.
  • В.И. Кадушкин. Заявка N 5029920(25) 010023 с приоритетом от 28.02.92
  • M.A. Herman, D. Bimberg, J.J. Christen. Appl. Phys., 70, R1 (1991)
  • А.Я. Шик. ФТП, 26, 1161 (1992)
  • С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
  • А.В. Войцеховский, В.И. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, 1990)
  • Х. Кейси, М. Паниш. \it Лазеры на гетероструктурах (М., 1981) т. 1
  • D.C. Reynolds, K.K. Bajaj, S.W. Linon, P.W. Yu, J. Singh, W.T. Masselink, R. Fisher, H. Morkos. Appl. Phys. Lett., 46, 51 (1985)
  • T. Mishima, I. Kasai, M. Morioka, Y. Sawada, Y. Katayama. Surf. Sci., 174, 307 (1986)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Квантовая механика (М., 1989)
  • \it Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога (М., 1989)
  • J.M. Langen, H. Heinrich. Phys. Rev. Lett., 55, 1414 (1985)
  • I. Bateri, S.L. Wright. J. Apll., 59, 200 (1986)
  • H. Kroemer. Surf. Sci., 174, 299 (1986)
  • M. Zahler. Appl. Phys. Lett., 61, 949 (1992)
  • П.С. Копьев, И.Н. Уральцев, А.П. Эфрос, Д.Р. Яковлев, А.В. Винокурова. ФТП, 22, 424 (1989)
  • C. Weisbuch, R. Dingle, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Sol. St. Commun., 38, 709 (1981)
  • Б.Я Бер, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, И.Н. Уральцев, Д.Р. Яковлев. Изв. АН СССР, 49, 1905 (1985)
  • T. Noda, M. Tanaka, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 57, 1651 (1990)
  • K. Hirakawa, T. Noda, H. Sakaki. Surf. Sci., 196, 365 (1988)
  • S. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Natsusue. Appl. Phys. Lett., 51, 1941 (1987)
  • В.И. Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП, 27, 1311 (1993)
  • В.А. Кульбачинский, В.И. Кадушкин, В.Г. Кытин, Е.Л. Шангина. ФТТ, 35, 1755 (1993)
  • V.A. Kulbachinskii, A.de Visser, V.I. Kadushkin, V.G. Kytin, E.L. Shangina. J. Appl. Phys., 75, 2081 (1994)
  • Ю. Каваляускас, Г. Кривайте, Л.В. Шаронова, А. Шилейка, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 27, 1086 (1993)
  • A.N. Ghatak, K. Thyagarajan, V.R. Shenoy. IEEE J. Quant. Electrum, 24, 1524 (1988)
  • S. Sasa, K. Kondo, H. Ishikawa, T. Fujii, S. Muto, S. Hiyamiru. Surf. Sci., 174, 433 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.