Исследованы оптические явления в системе селективно легированных квантовых ям n-типа, образованных гетерограницами GaAs--AlGaAs. Изучены спектр поглощения света двух поляризаций в области длин волн около 10 мкм при переходах электронов между минизонами зоны проводимости, а также межзонный спектр возбуждения фотолюминесценции, позволивший уточнить параметры сверхрешетки. Обнаружена модуляция интенсивности излучения CO2-лазера, а также спонтанное излучение света в области 10 мкм при разогреве двумерных электронов электрическим полем, приложенным вдоль квантово-размерных слоев. Модуляция различна для света с поляризацией перпендикулярно и параллельно слоям. Обнаружен электрооптический эффект при разогреве электронов продольным электрическим полем. Обсуждается механизм изменения поглощения света при разогреве электронов.
L.C. West, S.I. Eglach. Appl. Phys. Lett., 46, 1156 (1985)
\it Intersubband transitions in Quantum Wells, ed. by E.Rosencher et al. (Plenum Press, N.Y., 1992)
H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, T. Matsusue. Appl. Phys. Lett., 51, 1934 (1987)
G.A. Hoffman, I.R. Meyer, E.R. Youhgdale, F.I. Bartoli, R.H. Miles. Appl. Phys. Lett., 63, 2210 (1993)
H. Sakaki, H. Yoshimura, T. Matsusue. Japan. J. Appl. Phys., 26, L1104 (1987)
А.Я. Шик. Письма ЖТФ, 5, 869 (1979)
G. Livescu, D.A.B. Miller, D.S. Chemba, M. Ramaswang, T.Y. Chang, N. Sauer, A.C. Gassard, J.H. English. IEEE J. Quant. Electron., 24, L1677 (1988)
A. Seilmeier, U. Ploderer, G. Weimann. Semicond. Sci. Technol., 9, 736 (1994)
K.M.S.V. Bandara, D.D. Coon, O. Byungsung, Y.F. Lin, M.H. Francomble. Appl. Phys. Lett., 53, 1931 (1988)
J.-W. Choe, O. Byungsung, K.M.S.V. Bandara, D.D. Coon. Appl. Phys. Lett., 56, 1679 (1990)
M.O. Manasreh, F. Szmulowicz, T. Vanghan, K.R. Evans, C.E. Stutz, D.W. Fisher. In: Intersubband transitions in Quantum Wells, ed. by E.Rosencher et al. (Plenum Press, N.Y., 1992) p. 287
T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54 (1982). [Пер.: Т.Андо, А.Фаулер, Ф.Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)]
M. Zaluzny. Appl. Phys. Lett., 60, 1486 (1992)
Rita Gurta, N. Balkan, B.K. Ridley. Semicond. Sci Technol., 7, B274 (1992)
D.Kaufman, A. Sa'ar, N. Kuz. Appl. Phys. Lett., 64, 2543 (1994)
Л.Е. Воробьев, Ф.И. Осокин. ФТП, 15, 1559 (1979)
G.G. Zegrya. \it Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (Charlottesville, USA, 1993) p. 635
А.Я. Шик. ФТП, 22, 1842 (1988)