"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS : Cu
Заманова Э.Н.1, Джафаров М.А.1
1Институт физики Академии наук Азербайджана,, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 6 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Методом термодиффузии Cu в монокристаллы CdS получены высокоомные фоточувствительные образцы (с удельным сопротивлением 1011/1012 Ом·см в темноте и 104·105 Ом·см при освещенности 300 лк). Проведено исследование фотоэлектрических свойств, связанных с протеканием фотохимической реакции.
  • G.B. Abdullaev, Z.A. Aliyarova, E.N. Zamanova, G.A. Asadov. Phys. St. Sol., 26, 65 (1968)
  • Г.Б. Абдуллаев, З.А. Алиярова, Э.Н. Заманова. УФН, 99, вып. 3 (1969)
  • А.Г. Абдуллаев, Э.Н. Заманова, С.О. Искандеров, С.М. Багирова. В сб.: \it VI Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Тбилиси, 1983)
  • Э.Н. Заманова, С.М. Багирова. В сб.: \it Всесоюзный семинар "Приборы с отрицательным сопротивлением" (М., 1985)
  • Т.Д. Джафаров. \it Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках (М.. Энергоатомиздат, 1984)
  • \it Физика соединений A^IIB^VI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
  • Х.Т. Акрамов, Г.Я. Умаров, Т.М. Разыков. Гелиотехника, 11, вып. 5--6, 74 (1975)
  • Г.Я. Умаров, Х.Т. Акрамов, Т.М. Разыков, А.Г. Тешабаев. Гелиотехника, 13, вып. 3, 15 (1977)
  • М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечных элементов (М., Наука, 1985)
  • Б. Ембергенов, Н.Е. Корсунская, И.Я. Маркевич. УФЖ, 29, 734 (1984)
  • А. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями с полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • В.П. Заячкивский, П.П. Бейсюк, Е.С. Никонюк, А.В. Савицкий. Изв. вузов СССР. Физика, вып. 7, 111, (1976)
  • В.П. Сорока. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18, 38 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.