Восстановление профиля изменения структуры полупроводника по толщине пластины из спектров фотолюминесценции
Маслобоев Ю.П.1, Селищев С.В.1, Терещенко С.А.1
1Московский государственный институт электронной техники,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Предлагается новый бесконтактный метод исследования пространственно неоднородных распределений характеристик материала полупроводниковых пластин в микроэлектронике, опирающийся на анализ спектров фотолюминесценции. С помощью численного моделирования показана работоспособность предложенного метода на примере восстановления профиля ширины запрещенной зоны по глубине от поверхности полупроводниковой пластины.
- Г.Г. Левин, Г.Н. Вишняков. \it Оптическая томография (М., 1989)
- J. Bajaj, W.E. Tennant. J. Cryst. Growth, 103, 170 (1990)
- I.E. Bondarenko, S.K. Likharev, E.I. Rau, E.B. Yakimov. J. Cryst. Growth, 103, 197 (1990)
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. \it Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов (Киев, Техника, 1986)
- В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 14, 1350 (1980)
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. \it Варизонные полупроводники (Киев, Вища шк., 1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук