Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О стоках для радиационно-введенных вакансий и межузельных атомов в исходных кристаллах кремния

Баранов А.И.¹, Бояркина Н.И.¹, Васильев А.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 1 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментальные зависимости скоростей введения A- и E-центров от концентрации легирующей примеси сравниваются с результатом решения системы уравнений, учитывающих уход вакансий на комплексообразование и на стоки. Делается вывод, что представление о стоках для первичных вакансий и межузельных атомов не объясняет известного расхождения между числом пар Френкеля, запасенных в примесно-дефектных комплексах кристалла и рассчитанных теоретически в предположении о существовании резкого порога дефектообразования.

J.H. Cahn. J. Appl. Phys., 30, 1310 (1959)
\it Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
Р.Ф. Коноплева, С.Р. Новиков, Э.Э. Рубинова, В.Н. Запорожченко, Л.Н. Никитюк. ФТП, 3, 1119 (1969)
Л.С. Берман, Н.А. Витовский, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 24, 1816 (1990)
W.L. Brown, W.M. Augustyniak, T.R. Waite. J. Appl. Phys., 30, 1258 (1959)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
V.L. Vinetskii, I.R. Entinzon, G.A. Kholodar. Phys. St. Sol. (a), 76, 477 (1981)
Н.А. Витовский, Д. Мустафакулов, А.П. Чекмарева. ФТП, 11, 1747 (1977)
Л.И. Федина, А.Л. Асеев, С.Л. Денисенко, Л.С. Смирнов. ФТП, 21, 592 (1987)
J.C. Pfister. In: \it Radiation Damage in Semiconductors (Paris--Royaunmont, Dunod, 1965) p. 281
P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Phys. St. Sol. (a), 102, 653 (1987)
Y. Shi, D.X. Shen, F.M. Wu, K.J. Cheng. J. Appl. Phys., 76, 1116 (1990)
А.И. Баранов, А.В. Васильев, Н.И. Комолова, С.А. Смагулова. ФТП, 17, 1663 (1983)
G.S. Oehrlein, J. Krafcsik, J.L. Lindstrom, A.E. Jaworowski, J.W. Corbett. J. Appl. Phys., 54, 179 (1983)
Е.Ф. Уваров, М.В. Чукичев. Рад. физ. немет. крист. (Киев, Наук. думка, 1971) с 305
H. Saito, M. Hirata. Japan. J. Appl. Phys., 2, 678 (1963)
А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. ФТП, 25, 1332 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель