Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 23 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Представлены результаты термодинамического анализа процесса взаимодействия атомарного и молекулярного азота, аммиака и гидразина с подложкой GaAs. Показано, что гидразин является эффективным источником химически активного азота. Приведены результаты исследования начальной стадии молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием гидразина в системе GaN/GaAs (001). Полученные результаты свидетельствуют от том, что начальная стадия молекулярно-пучковой эпитаксии GaN на подложках GaAs (001) характеризуется трехмерным зародышеобразованием. Преимущественная первоначальная кристаллографическая ориентация островков и направление их разрастания сохраняются на протяжении всего периода роста. По данным катодолюминесценции экситонная рекомбинация является доминирующим механизмом при 300 и 77 K.
- S. Strite, H. Morko\c c. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
- M.J. Paisley, R.F. Davis. J. Vac. Sci. Technol. A, 11, 18 (1993)
- H. Morko\c c, S. Strite, G.B. Gao, M.E.Lin, B.Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys.., 76, 1363 (1994)
- H. Tsuchiya, T. Okahisa, F. Hasegawa, H. Okumura, S. Yoshida. Jpn. J. Apl. Phys., 33, 1747 (1994)
- R.C. Powell, N.-E. Lee, Y.-W. Kim, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 73, 189 (1993)
- H. Okumura, S. Misawa, T. Okahisa, S. Yoshida. J. Cryst. Growth, 136, 361 (1994)
- Z.Q. He, X.M.Ding, X.Y. Hou, Xun Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 315 (1994)
- В.Г. Антипов, С.А. Никишин, В.Н. Светлов, Д.В. Синявский, О.В. Смольский, В.А. Спиренков. Письма ЖТФ, 16, вып. 8, 41 (1990)
- В.Г. Антипов, И.Б. Большунов, С.С. Романов. ПТЭ, N 4, 166 (1990)
- J.J. Harris, B.A. Joyce, P.J. Dobson. Surf. Sci., 103, L90 (1981)
- S. Fujieda, Y. Matsumoto. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1665 (1991)
- A. Kikuchi, H. Hoshi, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 68 (1994)
- M. Leszczynski, P. Perlin, T. Suski, H. Teisseyre, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun. \it Proc. II Int. High Temperature Electronics Conf. (Charlotte, NC, 1994) v. 2, p. 239
- \it Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник (М., Наука, 1979) с. 73
- J.N. Kuznia, J.W. Yang, Q.C. Chen, S. Krishnankutty, M. Asif Khan, T. George, J. Frietas, Jr. Apl. Phys. Lett., 65 (19), 2407 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
