"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прямой и обратный ток p-n-структур на основе 6 H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
Стрельчук А.М.1, Евстропов В.В.1, Дмитриев В.А.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Представлены токовые характеристики (вольт-амперные и релаксационные) p-n-структур на основе 6H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией. Исследования вольт-амперных характеристик проведены в диапазоне температур 300--800 K и плотностей тока 10-6-5· 102 А/см2. Показано, что прямой ток соответствует термоинжекционным моделям. Температурная зависимость остаточного сопротивления такая же, как для удельного сопротивления n-SiC. Напряженности электрического поля при пробое равны (2-6)· 106 В/см. Обратные допробойные токи в целом не имеют термоактивационного характера. Время жизни, определенное из переходных характеристик, составляет 20--30 нс.
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 238 (1985)
  • V.A. Dmitriev. Physica B, 185, 440 (1993)
  • V.A. Dmitriev, M.E. Levinshtein, S.N. Vainshtein, V.E. Chelnokov. Electron. Lett. 24, 1031 (1988)
  • В.А. Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 23, 39 (1989)
  • В.А. Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, 16, 50 (1990)
  • V.A. Dmitriev, P.A. Ivanov, Ya.V. Morozenko, V.E. Chelnokov, A.E. Cherenkov. \it Proc. Int. Conf. the Applications of Diamond Films and Related Materials (Auburn, USA, August 1991, Elsevier Science Publishers B.V., 1991), p. 769
  • M.M.Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Physics, 56, 269 (1992)
  • М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  • М.М. Аникин, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 28, 284 (1994)
  • М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
  • М.М. Аникин, М.Е. Левинштейн, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 1574 (1988)
  • Б.С. Кондратьев, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, М.Л. Тиранов. ФТП, 24, 647 (1990)
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, Ю.В. Мельник, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. \it Тез. докл. Всес. науч.-техн. конф. "Перспективы развития технологического оборудования, новых материалов и технологических процессов ...", сентябрь 1985, Белая Церковь, (М., 1985) с. 54
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 773 (1986)
  • V.A. Dmitriev, A.E. Cherenkov. J. Cryst. Growth, 128, 343 (1993)
  • И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1986)
  • В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
  • М.М. Аникин, В.В. Естропов, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
  • S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  • M. Gershunzon, R.A. Logan, D.F. Nelson. Phys. Rev., 149, 580 (1966)
  • D.L. Barret, R.B. Campbell. J. Appl. Phys. 38, 53 (1967)
  • А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  • M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In.: \it Semiconductor Interfaces and microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992), p. 280
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.