Фотомодуляционные спектры одиночных квантовых ям на основе InGaAs/GaAs исследованы при плотностях мощности накачки от 0.5 до 300 мВт/см². Обнаружено, что спектры, измеренные при различных мощностях накачки, отличаются не только по амплитуде, но и по спектральному положению. Более того, имеет место линейная зависимость между амплитудой и спектральным положением модуляционного спектра. Мы объясняем эту зависимость в рамках общепринятой схемы моделирования модуляционных спектров с учетом второго порядка разложения экситонного вклада в поглощение и рефракцию по резонансной частоте экситона. Построив зависимость спектрального положения модуляционного спектра как функции его амплитуды, мы можем найти предельное положение экситонного резонанса при амплитуде, стремящейся к нулю. Этот предел соответствует спектральному положению экситонного резонанса в отсутствие излучения накачки. Мы нашли, что наблюдаемое спектральное смещение по отношению к положению в отсутствие накачки равно половине смещения резонансной частоты экситона, вызванного внешней модуляцией. Используя определенную таким образом величину модуляции резонансной частоты экситона, расчетные значения производных d R/d n и d R/d k и модуляционный спектр Delta R/R, несложно определить абсолютное значение экситонного поглощения (силу осциллятора экситона) в квантовой яме.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.