"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Расчет зонной структуры твердого раствора SiC--AlN методом псевдопотенциала
Дмитриев А.П.1, Евлахов Н.В.1, Фурман А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Рассчитанна зонная структура твердого раствора SiC--AlN с кристаллической структурой вюрцита. Расчет основан на методе псевдопотенциала с использованием приближения виртуального кристалла. При этом приближение виртуального кристалла было модифицировано с целью учета антиструктурных дефектов кристаллической решетки. Вычислен энергетический спектр в главных симметричных направлениях обратной решетки и найдена зависимость энергии от состава в основных симметричных точках. Показано, что учет антиструктурных дефектов приводит к заметному сужению запрещенной зоны и уменьшению области концентраций раствора с прямой зонной структурой. Результаты расчета хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными.
  • I.B. Cutler, P.D. Vilber, W. Rafaniello, H.K. Park, D.P. Thomson, K.H. Jack. Nature, 275, 434 (1978)
  • R. Ruh, A. Zangvil. J. Amer. Ceram. Soc., 65, 260 (1982)
  • W. Rafaeniello, M.R. Plichta, A.V. Virkar. J. Amer. Ceram. Soc., 66, 272 (1983)
  • С.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Разбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Письма ЖТФ, 12, 1043 (1986)
  • С.А. Нурмагомедов, А.Н. Пихтин, В.Н. Разбегаев, Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 23, 162 (1989)
  • С.А. Нурмагомедов, Г.К. Сафаралиев. \it Тр. 4 Всес. конф. по росту кристаллов (Ереван, 1985) т. 3, с. 116
  • Г.К. Сафаралиев. В кн.: \it Широкозонные полупроводники (Махачкала, 1989) с. 34
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 98 (1985)
  • A. Zangvil, R. Ruh. J. Amer. Ceram. Soc., 71, 884 (1988)
  • H. Holloway, L.C. Davis. Phys. Rev. Lett., 53, 830 (1984)
  • K.E. Newman, J.D. Dow. Phys. Rev. B, 27, 7495 (1983)
  • M.L. Cohen, J.R. Chelikovsky. \it Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, (Springer Ser. Sol. St. Sci., 1989) p. 75
  • H.G. Junginger, W. Haeringen. Phys. St. Sol., 37, 709 (1970)
  • S. Bloom. J. Phys. Chem Sol., 32, 2027 (1971)
  • W.P.L. Lambrecht, B. Segall. Phys. Rev. B, 43, 7070 (1991)
  • P.B. Perry, R.F. Rutz. Appl. Phys. Lett., 33, 319 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.