Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование кинетических характеристик плазмы горячих фотоносителей и внутренней квантовой эффективности фотодиода методом Монте-Карло

Чубаров А.А.¹, Мымрин В.Ф.¹, Резников Б.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 февраля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В полупроводниковом диоде (Al-n-GaAs, N_d~=10¹⁵/10¹⁷ см^-3) определены кинетические характеристики горячих фотоэлектронов при hnu=<6 эВ. Показано, что при hnu=(2/3) эВ скорость эмиссии в металл V_n(hnu) увеличивается примерно на порядок. Рассчитана зависимость внутренней квантовой эффективности Q(hnu). Установлено, что учет реальной зависимости V_n(hnu) и увеличения температуры электронов с ростом энергии кванта позволяет согласовать результаты расчета Q(hnu) методом Монте-Карло и в диффузионно-дрейфовом приближении.

С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Р. Хокни, Дж. Иствуд. \it Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987)
M. Shur. GaAs \it devices and circuits (N. Y. --- London, Plenum Press, 1986)
О.А. Мезрин, С.И. Трошков. ФТП, 22, 176 (1988)
Ю.А. Гольберг, Т.В. Львова, О.А. Мезрин, С.И. Трошков, Б.В. Царенков. ФТП, 24, 1835 (1990)
В.Ф. Мымрин, А.А. Чубаров. Препринт N 1549, ФТИ АН СССР (Л., 1991)
Н.А. Баннов, В.Н. Рыжий, Т.Г. Елизарова, Е.С. Николаев. Препринт N 44, ИПМ АН СССР (М., 1986)
\it Многодолинные полупроводники, под ред. Ю. Пожелы (Вильнюс, 1978)
W. Fawcett, A.D. Boardman, S. Swain. J. Phys. Chem. Sol., 31, 1963 (1970)
V. Borsari, J. Jacoboni. Phys. St. Sol. (B), 54, 649 (1972)
D.E. Aspnes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Rhat. J. Appl. Phys., 60 754 (1986)
K. Brennan, K. Hess. Sol. St. Electron., 27, 347 (1984)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
J.M. Caywood, C.A. Mead. Appl. Phys. Lett., 15, 14 (1969)
А.М. Васильев, Т.М. Головнер, О.В. Захарчук, О.П. Федосеев. ФТП, 3, 1276 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель