"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Cheng T.S.1, Jenkins L.C.1, Hooper S.E.1, Foxon C.T.1, Бер Б.Я.1, Меркулов А.В.1, Новиков С.В.1, Третьяков В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовано распределение фоновых примесей (As,P) и легирующей примеси (Si) в GaN, полученном на подложках GaAs и GaP методом молекулярно-лучевой эпитаксии с источником плазменно-активированного азота. Предложена модель встраивания примесей в процессе роста слоев GaN.
  • S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  • S. Strite, M.E. Lin, H. Morkoc. Thin Sol. Films, 231, 197 (1993)
  • R.F. Davis. Proc. IEEE, 79, 702 (1991)
  • S.V. Novikov, C.T. Foxon, T.S. Cheng, T.L, Tansley, J.W.Orton, D.E. Lacklison, D. Johnston, N. Bada-Ali, S. Hooper, L. Eaves. J. Cryst. Growth, 146, 340 (1995)
  • C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Bada-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. \it Proc.8th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, MBE-VIII, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 325
  • T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.