"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении циркулярно поляризованного света в p-Ge
Расулов Р.Я.1, Хашимов Г.Х.1, Холиддинов Х.1
1Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
Поступила в редакцию: 14 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовано влияние состояния поляризации на эффект увлечения носителей тока при трехфотонном поглощении света субмиллиметрового диапазона (lambda=90 мкм) в кристаллах типа p-Ge при комнатной температуре. Сравнение теоретических и экспериментальных зависимостей тока увлечения дырок фотонами от интенсивности и поляризации возбуждающего света позволило разделить и сопоставить вклады в линейное поглощение света, связанные с одно-, двух- и трехквантовыми переходами.
  • С.Д. Ганичев, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов, Б.Н. Авербух. ФТТ, 35, 198 (1993)
  • Р.Я. Расулов. ФТП, 22, 2077 (1986)
  • С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, Е.Л. Ивченко, Е.Ю. Перлин, Я.В. Терентьев, А.В. Федоров, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, 91, 1233 (1986)
  • Д.А. Паршин, А.Р. Шабаев. ЖЭТФ, 92, 1471 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.