Проведены исследования кристаллографической ориентации поверхности монокристаллов CdxHg1-xTe с 0.21=< x=<0.25 на свойства структур металл--анодный окисел--полупроводник. Обнаружены различия в скорости роста окисла, а также плотности встроенного в окисел заряда для различных ориентаций поверхности.
А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
G. Cinader, A. Raizman, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B,9, 1634 (1991)
R. Korenstain, P. Hallock, B. Macleod, W. Hoke, S. Oguz. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1039 (1990)
L.L. Chang. Sol. St. Electron., 10, 69 (1967)
\it Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. М. Авена, Дж.С. Пренера (М., Мир, 1970) с. 115
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.