Вхождение As в эпитаксиальные слои GaN, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, было исследовано с использованием методов вторичной ионной масс-спектроскопии, оже-электронной спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа, растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии. Было определено значение предельной растворимости As в GaN на уровне (1-2)· 1019 см-3, что соответствует концентрации порядка 0.04 ат %.
S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., B 10, 1237 (1992)
R.B. Davis. IEEE Proceedings, 79, 702 (1991)
T.S. Cheng, L.C. Jenkins, S.E. Hooper, C.T. Foxon, J.W. Orton, D.E. Lacklison. Appl. Phys. Lett., 66, 1509 (1995)
L.C. Jenkins, T.S. Cheng, C.T. Foxon, J.W. Orton, S.E. Hooper, S.V. Novikov, V.V. Tret'yakov. J. Vac. Sci. Technol., B 13, 1585 (1995)
J.W. Orton, D.E. Lacklison, N. Baba-Ali, C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.F.C. Johnston, S.E. Hooper, L.C. Jenkins, L.J. Challis, T.L. Tanasley. J. Electron. Mater., 24, 263 (1995)
S.V. Novikov, C.T. Foxon, T.S.Cheng, T.L. Tansley, J.W. Orton, D.E. Lacklison, D. Johnston, N. Baba-Ali, S.E. Hooper, L.C. Jenkins, L. Eaves. J. Cryst. Growth, 146, 340 (1995)
C.T. Foxon, T.S. Cheng, S.V. Novikov, D.E. Lacklison, L.C. Jenkins, D. Johnston, J.W. Orton, S.E. Hooper, N. Baba-Ali, T.L. Tansley, V.V. Tret'yakov. J. Cryst. Growth, 150, 892 (1995)
M. Weyers, M. Sato, H. Ando. Japan. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Japan. J. Appl. Phys., 33, L1056 (1994)