Концентрационные решетки в электронно-дырочной плазме, дрейфующей в переменном электрическом поле
Борблик В.Л.1, Грибников З.С.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Рассмотрен биполярный дрейф под действием переменного во времени электрического поля слабо-несобственной электронно-дырочной плазмы в полупроводнике со слабой затравочной решеткой отношения подвижностей электронов и дырок. Переменный характер поля позволяет снизить роль контактных явлений и выноса носителей из активной зоны решетки. Дрейф в переменном поле (как и в постоянном) создает высококонтрастные плазменные концентрационные решетки, причем величина пропускаемого тока эффективно управляет параметрами такой решетки и соотношением ее стационарной и осциллирующей компонент. С ростом тока осциллирующая составляющая плазменной решетки затухает и решетка стремится к стационарному асимптотическому пределу.
- З.С. Грибников. ФТП, 9, 1710 (1975)
- З.С. Грибников, С.И. Козловский, В.А. Романов. ФТП, 12, 1794 (1978)
- В.Н. Добровольский, С.П. Павлюк, А.В. Романов. ФТП, 21, 748 (1987)
- Т.З. Грибникова, З.С. Грибников. УФЖ, 27, 1350, (1982)
- З.С. Грибников. ФТП, 16, 1843 (1982)
- З.С. Грибников, Р.Н. Литовский, Е.В. Моздор. ФТП, 17, 1438 (1983)
- В.Л. Винецкий, Н.В. Кухтарев, С.Г. Одулов, М.С. Соскин. УФН, 129, 113 (1979)
- Ю. Вайткус, Л. Субачюс, К. Ярашюнас. \it Тез. докл. VII Всес. симп. "Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках" (Паланга, 1989) ч. II, с. 279
- Ю. Вайткус, С. Стариков, Л. Субачюс, К. Ярашюнас. Лит. физ. сб., 30, 336 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук