Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотолюминесценция на длине волны 1.54 мкм в легированном эрбием аморфном гидрогенизированном кремнии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Fachbereich Physik, Philipps--Universitat Marburg, Marburg, Germany
2Fachbereich Physik, Philipps--Universitat Marburg, Marburg, Germany
Поступила в редакцию: 2 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Проведено исследование температурной зависимости фотолюминесценции в образцах a-Si : H< Er>, в которые были введены Er и кислород в процессе роста. В отличие от монокристаллического Si< Er>, где интенсивность фотолюминесценции Er на длине волны 1.54 мкм при увеличении температуры от 4.2 K до комнатной значительно уменьшается, в a-Si : H< Er> интенсивность фотолюминесценции, связанной с Er, на данной длине волны практически не зависит от температуры. Различный ход температурных зависимостей собственной фотолюминесценции a-Si : H< Er> и фотолюминесценции на длине 1.54 мкм свидетельствует о наличии двух независимых друг от друга излучательных каналов. Отжиг в вакууме при T=800oC приводит к увеличению фотолюминесценции на длине 1.54 мкм при T=300 K в 2.5 раза.
- H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983)
- H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haydl, J. Schneider. App. Phys. Lett. 46, 381 (1985)
- H. Ennen, J. Shneider. \it Proc. 13th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Metallurgical Society of AIME, N.Y., 1985) p. 115
- G. Frazo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- P.N. Favennec, H.L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau. Japan. J. Appl. Phys., 29, L524 (1990)
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16313 (1994)
- J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
- P.N. Favennec, H.L. Haridon, M. Salvi, P. Moutonnet, Y.L.E Guillou. Electron. Lett., 25, 718 (1989)
- G.D. Cody, B. Abeles, C.R. Wronski, B. Stephens, B. Brooks. Solar. Cells, 2, 227 (1980)
- T. Oestereich, C. Swiatkowski, I. Broser. Appl. Phys. Lett., 56, 446 (1990)
- K. Kechouane, N. Beldi, N. Mohammed-Brahim, H.L. Haridon, M. Salvi, M. Gauneau. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 133, (1993)
- K. Pierz, W. Fuhs, H. Mell. Phil. Mag. B, 63, 123 (1991)
- A.R. Street. Adv. Phys., 30, 593 (1981)
- W. Bayer. \it Tetrahedrelly Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler, H. Fritzsche (Plenum Press, N.Y., 1985) p. 129
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
