О захвате носителей заряда нейтральными центрами
Джакели В.Г.1, Тутберидзе И.А.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 28 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
Изучается захват свободных электронов на нейтральные центры и его влияние на процесс рекомбинации. Получено условие, при выполнении которого, указанный процесс доминирует над процессом захвата на положительно заряженные центры. Учет указанного процесса рекомбинации приводит к увеличению поля пробоя.
- Е.Б. Гольдгур, Р.И. Рабинович. ЖЭТФ, 84, 1109 (1983)
- Е.Б. Гольдгур, Р.И. Рабинович. ЖЭТФ, 23, 1674 (1989)
- S.G. Dmitriev, A.G. Zhdan, A.M. Kozlov, T.M. Lifshits, V.V. Rylkov, O.G. Shagimuratov. Semicond. Sci. Technol., 8, 544 (1993)
- T.O. Gegechkory, V.G. Yakeli, Z.S. Kachlishvili. Phys. St. Sol. (b), 112, 379 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук