Показано, что применение нестационарной емкостной спектроскопии для исследования свойств диодов, в базе которых имеются перезаряжающиеся при инжекции глубокие центры, позволяет определять диффузионные длины и коэффициенты инжекции неосновных носителей тока в p-n-переходах. Разработанные методики использованы для изучения свойств p-n-структур на основе соединений 6H- и 4H-SiC. Результаты измерений находятся в согласии с известными данными, полученными другими методами.
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, И.В. Попов. А.с. N 1402203, приоритет от 18.07.86
А.А. Лебедев. А.с. N 1625286, приоритет от 10.07.89
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 20, 2169 (1986)
M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In: \it Semiconductor Interfaces and Microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992) p. 280
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севастьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. ЖТФ, 10, 1053 (1984)
В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1982)
M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strelchuk. Springer Proc. Phys., 56, 269 (1992)
S.M. Sze. \it Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons., N.Y. 1981)