Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Межзонное примесное поглощение света в тонких полупроводниковых проволоках типа A IIIB V
1Ереванский государственный университет, Ереван, Армения 
Поступила в редакцию: 30 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Исследовано межзонное примесное поглощение света в тонких проволоках полупроводника типа AIIIBV с кейновским законом дисперсии для носителей заряда. Показано, что в отличие от проволок со стандартным законом дисперсии здесь реализуется переход на основное состояние примеси. Учет непараболичности закона дисперсии приводит также к существенному отдалению линии поглощения, обуловленной переходом на основное примесное состояние от остальных линий.
- \it Оптические свойства полупроводников A^IIIB^V, под ред. Р.Уиллардсона, А.Бира (М., 1970)
- А.М. Казарян, Э.М. Казарян. ФТП, 11, 1383 (1977)
- А.П. Джотян, Э.М. Казарян, Ю.В. Каракашян. Изв. НАН Армении. Физика, 28, 150 (1993)
- С.Л. Арутюнян, Э.М. Казарян. Изв. АН АрмССР. Физика, 12, 16 (1977)
- R. Loudon. Amer. J. Phys., 27, 649 (1959)
- H.N. Spector, J. Lee. Amer. J. Phys., 53, 248 (1985)
- E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 1, 249 (1957)
- А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
