Эпитаксиальные слои GaAs и AlGaAs, выращенные при сверхвысоких скоростях охлаждения, исследовались с помощью измерений спектров по методу DLTS и фотолюминесценции. Было обнаружено, что неравновесные условия роста приводят к формированию дефектов, характерных для радиационно-облученных GaAs и AlGaAs и связанных с центрами типа V As и AsGa. После облучения этих слоев лазером с длиной волны lambda=0.51 мкм наблюдались значительные изменения в спектрах DLTS для GaAs и AlGaAs и спектрах фотолюминесценции AlGaAs. Эти изменения связываются с процессом частичного оптически индуцированного отжига дефектов и с процессом рекомбинационно-стимулированной диффузии донорной примеси (D), приводящим к образованию комплекса V As-D.
A. Mitoneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
М.М. Соболев, С.Г. Конников, М.Н. Степанова. ФТП, 18, 383 (1984)
М.М. Соболев, П.Н. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.М. Майсурадзе. ФТП, 23, 1058 (1989)
П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
А.В. Абрамов, Б.Я. Бер, Н.Г. Дерягин, А.В. Меркулов, Д.Н. Третьяков. Письма ЖТФ, 21, 34 (1995)
D.V. Lang, R.A. Logan, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 15, 4874 (1977)
D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
M. Zazoui, S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 41, 8485 (1990)
D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. B, 19, 1015 (1979)
P.K. Bhattacharya, S. Subramanian, M.J. Ludovise. J. Appl. Phys., 55, 3664 (1984)
S. Makram-Ebeid, P. Boher. Revue Phys. Appl., 23, 847 (1988)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
L. Pavesi, N.H. Ku, J.D. Ganie're, F.K. Renhart, N. Baba-Ali, I. Harison, B. Tuck, M. Henini. J. Appl. Phys., 71, 2225 (1992)
D.V. Lang, L.C. Kimerling. Phys. Rev. Lett., 33, 489 (1974)
M. Hamatsu, K. Wada. Appl. Phys. Lett., 18, 2015 (1991)
D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10063 (1989)