"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические и пьезоспектроскопические свойства и строение комплексов вакансия галлия--кремний в n-GaAs: сравнение с комплексами вакансия галлия--олово
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Исследована фотолюминесценция комплексов V Ga SiGa в n-GaAs при низких температурах. Измерены спектры возбуждения, поляризация люминесценции при возбуждении поляризованным светом из примесной полосы поглощения и влияние одноосного давления на люминесценцию, возбуждаемую светом из собственной полосы поглощения GaAs. Обнаружены двухступенчатое выстраивание дисторсий комплексов при давлении вдоль оси [111] или [110] и связанные с ними изменения в скорости сдвига полосы люминесценции с давлением. Строение и свойства комплексов этого типа качественно объясняются в модели, предполагающей, что в излучающем состоянии влияние донора на вакансионные орбитали мало по сравнению с взаимодействием локализованной на этих орбиталях дырки с неполносимметричными F2-колебаниями квазимолекулы V Ga4As. Анализ данных показывает, что различие в пьезоспектроскопических свойствах V Ga SiGa и V Ga SnGa обусловлено некоторым увеличением расщепления донором вакансионных t2-состояний в V Ga SiGa по сравнению с V Ga SnGa. Различия в пьезоспектроскопическом поведении этих комплексов, с одной стороны, и комплекса V Ga TeAs --- с другой, определяются в основном разницей в положении доноров, а не их химической природой непосредственно.
  • G.D. Watkins. In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965) p. 97
  • S. Shionoya. In: \it Luminescence of Inorganic Solids, ed. by P. Goldberg (Academic Press Inc., N.Y., 1966) p. 225
  • E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  • H.J. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
  • В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976)
  • Z.G. Wong, C.J. Li, S.K. Wan, L.Y. Lin. J. Cryst. Growth, 103, 38 (1990)
  • W. Stadler, B.K. Meyer, D.M. Hoffman, B. Kowalski, P. Emanuelsson, P. Omling, E. Weigel, G. Muller-Vogt, R.T. Cox. In: \it Defects in Semiconductors 17, ed. by H. Heinrich, W. Jantsh [Mater. Sci. Forum. (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1994) 143--147, pt. 1, p. 399]
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  • А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1526 (1993)
  • A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.R. Sosnovskii. In: \it Defects in Semiconductors 17, ed. by H. Heinrich, W. Jantsh [Mater. Sci. Forum. (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 1994) 143--147, pt. 3, p. 1275]
  • Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.