Аномальный эффект Шоттки на границе раздела полупроводник--диэлектрик
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 6 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
Рассмотрена сруктура потенциала, индуцированного дипольными (или заряженными) ''пятнами'' на неоднородной границе раздела полупроводник-диэлектрик. Показано, что возникающие при этом потенциальные ямы глубиной 0.1/1 эВ могут служить эффективными ловушками для электронов и ионов, а эмиссия частиц из таких ям характеризуется сильной полевой зависимостью - аномальным эффектом Шоттки. Форма этой зависимости определяется видом потенциала над эмиссионно-активными пятнами.
- Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. \it Эмиссионная электроника (М, 1966)
- С.Г. Дмитриев. ЖТФ, N 6, 1232 (1982)
- С.Г. Дмитриев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 46, 1320 (1982)
- J.P. Sullivan, R.T. Tung, M.R. Pinto, W.R. Gradam. J. Appl. Phys., 70, 7403 (1991)
- R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13509 (1992)
- J.P. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
- G. Greeuw, J.F. Verwey. Sol. St. Electron., 28, 509 (1985)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Теория поля (М., Наука,1973)
- \it Таблицы физический величин. Справочник под ред. И.К. Кикоина, (М., Наука, 1976)
- P. Perfetti, C. Quaresima, C. Coluzza, C. Fortunato, G. Margaritondo. Phys. Rev. Lett., 57, 2065 (1986)
- \it VLSI Electronics Microstructure Science, ed. by N.G. Einspruch (Academic Press, 1985) vol. 10
- С.Г. Дмитриев, Ш.М. Коган. ФТТ, 21, 29 (1979)
- В.В. Аполлонов, А.И. Барчуков, Н.В. Карлов, А.М. Прохоров, Э.М. Шефтер. Квант. электрон., 2, 380 (1975)
- С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. Письма ЖТФ, 21, 1 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук