Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Лазерные ДГС на основе InAsSbP--InAs--InAsSbP с p- n-переходом в активной области

Айдаралиев М.¹, Бреслер М.С.¹, Гусев О.Б.¹, Зотова Н.В.¹, Карандашев С.А.¹, Матвеев Б.А.¹, Стусь Н.М.¹, Талалакин Г.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 июня 1995 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изготовлены и исследованы методами фото- и электролюминесценция ДГС на основе InAsSbP/InAs/InAsSbP с p-n-переходом в активной области при температурах 1.8 и 77 K. Построена энергетическая зонная диаграмма ДГС N- InAs_0.73Sb_0.09P_0.18-InAs-P- InAs_0.73Sb_0.09P_0.18, которая использовалась для анализа механизмов излучательных переходов. Обнаружены два интенсивных канала излучательной рекомбинации: туннельный переход зона-акцептор в области изгиба зон p-InAs на гетерогранице p-InAs-p-InAsSbP и переход квазиуровень Ферми неравновесных электронов-акцептор в компенсированной p-части активной области. В зависимости от уровня легирования оловом активной области можно реализовать лазерные переходы на каждом из обнаруженных каналов, т. е. на разных длинах волн.

Y. Horikoshi. Semicond. Semimet., 22(c), 93 (1985)
М.Ш. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 13, 563 (1987)
M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1575 (1993)
Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Кристаллография, 32, 216 (1988)
A. Mooradian, H.Y. Fan. \it Proc. Symp. on Radiative Recombination in Semiconductors. Paris (1964) (Dunod Cie, Paris, 1965) p. 180
А. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)
Н.В. Зотова, В.В. Карачаев, А.В. Коваль. ФТП, 9, 1944 (1975)
G.B. Stringfellow, P.E. Greene. Sol. St. Science, 118, 805 (1971)
T. Fukui, Y. Horikoshi. Jap. J. Appl. Phys., 20, 587 (1981)
M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1985). Т. 1; \it Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. под ред. Л. Ченг, К. Плог (М., Мир, 1989) с. 510
Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., Физматгиз, 1965) с. 172

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель