Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой температуре и высоком давлении
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 27 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Методом DLTS исследовано влияние высокого гидростатического давления на процессы растворения предварительно введенных в Si кислородных преципитатов при температуре 920/ 1000 K (в течение 96 ч). Предложена методика измерений, основанная на формировании электрически активных комплексов (межузельный атом кислорода-вакансия) при облучении образцов электронами. Показано, что введение точечных дефектов при комнатной температуре не приводит к распаду преципитатов. С увеличением температуры обработки (до 1220/ 1650 K) при одних и тех же значениях гидростатического давления (до 1.3 ГПа) возрастает интенсивность распада кислородных преципитатов, а при 1650 K происходит их полное растворение. Исследование кинетики распада показало, что гидростатическое давление повышает предел растворимости атомов кислорода Oi и замедляет процесс их диффузионного разбегания. Установлено, что энергия активации диффузии Ea, так же как и предэкспоненциальный множитель D0, в выражении для коэффициента диффузии уменьшаются с ростом гидростатического давления, приводя в результате к уменьшению коэффициента диффузии. Обсуждаются возможные механизмы влияния гидростатического давления на процессы диффузии кислорода в окрестности преципитата.
- C. Claeys, I. Vanhellemont. Sol. St. Phenomena, 6--7, 21 (1989)
- K. Sueoka, N. Ikeda, T. Yamamoto, S. Kobayashi. J. Appl. Phys., 79, 5437 (1993)
- R. Boushart, J.R. Schneider, S. Gupta, S. Messoloras, R.J. Stewart, Y. Nagasawa, W. Zulehner. J. Appl. Phys., 77, 553 (1995)
- J. Jung. Phil. Mag. A, 50, 257 (1984)
- C.A.J. Ammerlaan, H.H. Bekman, T. Gregorkiewicz. In: \it Defects in crystals, ed. by E. Mizeza (World Scientific, 1988) p. 239
- A. Misiuk. Sol. St. Phenomena, 19--20, 387 (1991)
- A. Misiuk, J. Adamczewska, J. Bak-Misiuk, J. Wolf. Sol. St. Phenomena, 32--33, 167 (1993)
- W. Wijaranakula. J. Appl. Phys., 73, 1004 (1993)
- W.J. Taylor, U. Gossele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 72, 2192 (1992)
- S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
- V.I. Fistul. \it Decomposition of the supersaturated solid solution in semiconductors (Moscow, 1977)
- P. Deark, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. Lett., 66, 747 (1991)
- R.C. Newman, M. Clayburn. Inst. Phys. Conf., 95, 211 (1989)
- M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42, 73 (1983)
- Б.Н. Романюк, В.Г. Попов, В.Г. Литовченко, А. Мисиук, А.А. Евтух, Н.И. Клюй, В.П. Мельник. ФТП, 29, 166 (1995)
- I.V. Antonova, S.S. Shaimeev. Sov. Phys. Semicond., 25, 1519 (1991)
- I.V. Antonova, V.A. Vasiliev, V.I. Panov, S.S. Shaimeev. Sov. Phys. Semicond., 22, 998 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
