"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотовозбуждение мелкого акцептора в p-InSb
Гуцуляк Л.М.1, Иванов-Омский В.И.1, Цыпишка Д.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Методом фотоэлектрической спектроскопии в магнитном поле исследовались образцы p-InSb, легированные кадмием (уровень легирования Na-Nd=7·1012 см-3). В спектрах наблюдаются линии, связанные с переходами из основного состояния 1S3/2Gamma8 мелкого акцептора в его возбужденные состояния, образующиеся под уровнями Ландау легких дырок, а также в состояния 2P5/2Gamma7, 3P3/2Gamma8, 3P5/2Gamma8 и 3P5/2Gamma7. В результате анализа экспериментальных результатов получена диаграмма зеемановских подуровней этих состояний в магнитном поле.
  • A. Baldereschi, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 8, 2697 (1973)
  • J. Broeckx, P. Clauws. Sol. St. Commun., 28, 355 (1978)
  • N.O. Lipari, M. Altarelli. Sol. St. Commun., 33, 47 (1980)
  • W.O.G. Schmitt, E. Bangert, G. Landwehr. J. Phys.: Condens. Matter., 3, 6789 (1991)
  • В.Н. Мурзин, А.И. Демешина, Л.М. Умаров. ФТП, 6, 488 (1972)
  • R. Kaplan. Sol. St. Commun., 12, 191 (1973)
  • C.L. Littler, D.G. Seiler, R. Kaplan, R.I. Wagner. Phys. Rev. B, 27, 7473 (1983)
  • R. Meisels, F. Kuchar. Phys. St. Sol. (b), 116, 557 (1983)
  • В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, Ш.У. Юлдашев, О.А. Гадаев, Р.А. Страдлинг, И. Фергюсон. ФТП, 26, 413 (1992)
  • P.J. Lin-Chung, B.W. Henvis. Phys. Rev. B, 12, 630 (1975)
  • C.R. Pidgeon, R.N. Brown. Phys. Rev., 146, 575 (1966)
  • A.K. Bhattacharjee, S. Rodrigues. Phys. Rev. B, 6, 3836 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.