Теоретически исследовано распределение электрического поля E(x) в высокоомной сильно смещенной структуре. Определены условия, при которых профиль E(x) имеет положительную кривизну в катодной части d²E/dx²>0 и качественно согласуется с экспериментом. Показано что в чистых кристаллах, где объемный заряд примеси пренебрежимо мал, или при наличии глубокой примеси, являющейся уровнем прилипания для дырок, профиль с d²E/dx²>0 возможен только при отрицательной дифференциальной подвижности для дырок dmu_pE/dE<0. При dmu_pE/dE>= 0 неравенство d²E/dx²>0 имеет место только, когда объемный заряд в структуре (степень заполнения глубокой примеси электронами) чувствителен к электронной концентрации. Получены аналитические зависимости поля в этом случае и показано, что основные особенности распределений поля могут быть получены в дрейфовом приближении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.