"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические и люминесцентные свойства напряженных слоев с квантовыми ямами в гетероструктурах GaInAsP/InP, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Говорков А.В.1, Лабутин О.А.2
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2Акционерное общество ''Сигма--Плюс'', Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Изучены спектры фотолюминесценции и фотовольтаического ответа в гетероструктурах GaInAsP/InP в напряженных слоях с квантовыми ямами, в которых варьировалась их толщина от 20 до 140 Angstrem и величина упругой деформации сжатия от 0.5 до 1.5%. Сопоставление теоретических расчетов с данными из спектров фотовольтаического ответа позволило установить, между какими энергетическими уровнями в зоне проводимости и в валентной зоне наблюдались переходы носителей с поглощением света при изменении толщины квантовой ямы. Переходы с наименьшей энергией хорошо согласуются с данными измерений фотолюминесценции. Рассмотрены два основных механизма уширения полосы фотолюминесценции --- флуктуации состава твердого раствора и толщины квантовой ямы. Для квантовых ям толщиной более 80 Angstrem доминирующим является неоднородность состава. Для квантовых ям меньшей толщины оба механизма влияют на уширение полосы фотолюминесценции.
  • W.D. Laidig, P.J. Coldwell, Y.F. Lin, C.K. Peng. Appl. Phys. Lett., 44, 653 (1984)
  • G.M. Wang, T.G. Andersson, M.G. Ekenstend. Appl. Phys. Lett., 61, 3139 (1992)
  • M. Kondo, K. Domen, C. Anayama, T. Tanahashi, K. Nakajima. J. Cryst. Growth, 107, 578 (1991)
  • T. Katsujama, I, Yoshida, J. Hashimoto, Y. Taniguchi, H. Hayashi. J. Cryst. Growth, 124, 697 (1992)
  • M. Yamamoto, M. Oishi, M. Sudo, J. Nakano, N. Tsuzuki. J. Cryst. Growth, 107, 796 (1991)
  • M.P. Houng, Y.C. Chong. J. Appl. Phys., 65, 3092 (1989)
  • Y.Q. Hon, C.W. Tu. J. Electron. Mater., 21, 137 (1992)
  • R.P. Schneider, Jr., B.W. Wessels. Appl. Phys. Lett., 54, 1142 (1989)
  • С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. \it Соединения A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=-. Справочник (М., Наука, 1984)
  • A. Kasukawa, T. Namegaya, T. Fukushima, N. Iwai, T. Kikuta. IEEE J. Quant. Electron., 29, 528 (1993)
  • S. Adachi. J. Appl. Phys., 53, 8775 (1982)
  • T.V. Wang, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67, 344 (1990)
  • D.F. Welch, G.W. Wicks, F. Eastman. J. Appl. Phys., 55, 3176 (1984)
  • H. Leier, H. Rothfritz, A. Forchel, G. Weiman. J. Cryst. Growth, 95, 277 (1989)
  • J. Singh, K.K. Bajaj. J. Appl. Phys., 57, 5433 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.