Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Краевая люминесценция твердых растворов AlN--GaN

Зубрилов А.С.¹, Цветков Д.В.¹, Николаев В.И.¹, Никитина И.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 декабря 1995 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовалось влияние состава и кристаллической структуры на люминесценцию эпитаксиальных слоев твердых растворов 2H-Al_xGa_1-xN (0=< x=<0.3), выращенных на подложках 6H-SiC с подслоем GaN. Получена зависимость полуширины рентгеновской кривой качания для системы AlGaN от содержания AlN в твердом растворе. Из анализа спектров катодолюминесценции определена зависимость положения полосы люминесценции вблизи края собственного поглощения от состава твердого раствора Al_xGa_1-xN при T=300 K: E(x)=3.39+2.19x+0.65x² (эВ). Изучена зависимость уширения этой полосы при увеличении содержания AlN в твердом растворе. Экспериментальные данные интерпретировались на основе модели уширени краевой полосы люминесценции за счет статистически неупорядоченного распределения компонентов твердого раствора. Показано, что этот механизм приводит к существенно большим уширениям краевой полосы люминесценции для системы AlGaN по сравнению с более узкозонными твердыми растворами A^IIIB^V. Выявлен эффект влияния подслоя GaN на структурные и люминесцентные свойства слоев AlGaN.

S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., B10, 1237 (1992)
H. Morkoc, D. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994)
I. Akasaki, H. Amano. J. Electrochem. Soc., 141, 2266 (1994)
S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. J. Appl. Phys., 76, 8189 (1994)
Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, I. Akasaki, M. Hashimoto. J. Electrochem. Soc., 133, 1956 (1986)
S. Nakamura, Y. Harada, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 38, 2021 (1991)
N. Yoshimoto, T. Matsuoto, T. Sasaki, A. Katsui. Appl. Phys. Lett., 59, 2251 (1991)
Б.В. Баранов, В.Б. Гутан, У. Жумакулов. ФТП, 16, 1281 (1982)
Г.А. Коркоташвили, А.Н. Пихтин, И.Г. Пичугин, А.М. Царегородцев. ФТП, 18, 1462 (1984)
R.M.H. Khan, Y. Kiode, H. Itoh, N. Sawaki, I. Akasaki. Sol. St. Commun., 60, 509 (1986)
H.G. Lee, M. Gershenzon, B.L. Goldenberg. J. Electron. Mater., 20, 621 (1991)
W. Fang, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett., 67, 751 (1995)
V.A. Dmitriev, K. Irvine, J.A. Edmond, C.H. Carter, Jr. \it Technical Program with Abstracts of the 36th Electronic Materials Conf. (Boulder, Colorado, 1994) A-21
I. Akasaki, K. Hiramatsu, H. Amano. Memoirs of the Faculty of Engineering, Nagoya Univrsity, 43, 147 (1991); I. Akasaki, H. Amano, Y. Kiode, K. Hiramatsu, N. Sawaki. J. Cryst. Growth. 98, 209 (1989)
А.Н. Пихтин. ФТП, 11, 425 (1977)
D.K. Wickenden, C.B. Bargeron, W.A. Bryden, J. Miragliotta, T.J. Kistenmacher. Appl. Phys. Lett., 65, 2024 (1994)
H.P. Maruska, J.J. Tietjen. Appl. Phys. Lett., 15, 327 (1969)
M. Leszczynski, T. Suski, H. Teisseyre, P. Perlin, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 76, 4909 (1994)
W.M. Yim, E.J. Stofko, P.J. Zanzucchi, J.I. Pankove, M. Effenberg, S.L. Gilbert. J. Appl. Phys., 44, 292 (1973)
A.S. Barker, M. Ilgems. Phys. Rev., B7, 743 (1973)
I. Akasaki, H. Hashimoto. Sol. St. Commun., 5, 851 (1967)
S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda. J. Appl. Phys., 53, 6844 (1982)
L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
E.F. Schubert, E.O. Gobel, Y. Horikoshi, K. Ploog, H.J. Queisser, Phys. Rev., B30, 813 (1984)
C. Charreaux, G.Guillot, A. Nouaihat. J. Appl. Phys., 60, 768 (1986)
J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki. \it Techncal Digest of Int'l Conf. On SiC and Related Materials --- ICSCRM'95 (Kyoto, Japan, 1995) p. 287
T.L. Tansley, R.J. Egan. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 242, 395 (1992)
S. Nakajima, T. Yang, S. Sakai. \it Abstracts of Topical on III--V Nitrides TWN'95 (Nagoya, Japan, 1995) P-2
И.Г. Пичугин. В сб.: \it Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., ЛИЯФ, 1980) с. 103
М.П. Шаскольская. \it Кристаллография (М., Высш. шк., 1984) с. 162

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель