"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К теории потенциала в гетероструктуре с латеральной решеткой электродов
Ефанов А.В.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Теоретически рассчитывается пространственное распределение потенциала в гетероструктуре с периодической решеткой встречно-штырьевых электродов на верхней поверхности и металлическим электродом на нижней. Полупроводник описывается как однородный диэлектрик в отсутствие сторонних зарядов. Формулы для потенциала выводятся с помощью метода конформных отображений.
  • H. Drexler, W. Hansen, S. Manus, J.P. Kotthaus, M. Holland, S.P. Beaumont. Phys. Rev. B, 49, 14074 (1994)
  • J.H. Davies, I.A. Larkin. Phys. Rev. B, 49, 4800 (1994)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.