Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксационные электронные процессы в монокристаллах TlGaSe₂

Мустафаева С.Н.¹, Мамедбейли С.Д.¹, Асадов М.М.¹, Мамедбейли И.А.¹, Ахмедли К.М.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 27 февраля 1996 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что спадающая релаксация тока, гистерезис ВАХ и накопление заряда в образцах M-TlGaSe₂-M обусловлены протеканием инжекционного тока по состояниям, локализованным в запрещенной зоне монокристраллов. Определены контактная емкость C_c=600 пкФ, область сосредоточения заряда в монокристалле TlGaSe₂ d_c=1.56· 10^-4 см, максимальная плотность накопленного заряда Q_max=2.4· 10^-7 Кл/см², подвижность носителей заряда в запрещенной зоне mu_f=3.75· 10^-4 см²/В· с, а также концентрация ловушек, ответственных за процессы накопления заряда в образцах M-TlGaSe₂-M N=10¹⁶ см^-3.

С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Неорг. матер., 26, 1564 (1990)
S.N. Mustafaeva, S.D. Mamedbeili. \it Abstracts 9th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Yokohama, 1993)p. 281
С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, И.А. Мамедбейли. Нерог. матер., 30, 626 (1994)
М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
Б.Л. Тиман.ФТП, 7, 225 (1973)
И.А. Карпович, А.А. Червова, Л.И. Демидова, Е.И. Леонов, В.М. Орлов. Неорг. матер., 8, 70 (1972)
А.М. Дарвиш, А.Э. Бахышов, В.И. Тагиров. ФТП, 11, 780 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель