"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Адмиттанс планарно распределенных глубоких состояний
Алешкин В.Я.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Получено аналитическое выражение для адмиттанса контакта Шоттки к системе с планарно распределенными глубокими состояниями. Найдена эквивалентная схема этой системы.
  • W.G. Oldham, S.S. Naik. Sol. St. Electron., 15, 1085 (1972)
  • P.A. Martin, K. Meehan, P. Gavrilovic, K. Hess et al. J. Appl. Phys., 54, 4689 (1983)
  • D.V. Lang, M.B. Panish, F. Capasso, J. Allam, R.A. Hamm, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 50, 736 (1987)
  • X. Letartre, D. Stievenard, M. Lannoo, D. Lippens. J. Appl. Phys., 68, 116 (1990)
  • K. Nauka, T.I. Kamins, J.E. Turner, C.A. King, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 60, 195 (1992)
  • K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 50, 1427 (1994)
  • J.P. Zhao, Z. lu, W. Buchwald, D. Coblentz, S. McAfee. Appl. Phys. Lett., 62, 2810 (1993)
  • C. Ghezzi. Appl. Phys. A, 26, 191 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.