"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
Барышев Н.С., Гельмонт Б.Л., Ибрагимова М.И.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Дан обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных исследованию времен жизни и процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в твердых растворах кадмий-ртуть-теллур. Рассмотрены различные междузонные процессы и процессы на центрах с глубокими уровнями в запрещенной зоне. Обсуждается также влияние поверхности, неоднородностей, деформации, электрического и магнитного полей на фотоэлектрические свойства материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.