"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
Быковский В.Ю., Вовненко В.И., Дмитрук Н.Л., Свечников С.В.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

Проанализированы особенности спектров НЕСГУ диодов Шоттки, изготовленных путем напыления Al на микрорельефную поверхность GaAs. Показано, что особенности спектров НЕСГУ обусловлены изменением стехиометрического состава поверхности и приповерхностной области GaAs после анизотропного травления поверхности; влиянием сильного электрического поля, возникающего в области пространственного заряда под неплоской поверхностью GaAs. Использование макрогетерогенной модели для аппроксимации спектров на ЭВМ позволяло определить распределения электрического поля и концентрации центров EL2 под неплоской поверхностью GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.